Эффект Шубникова-де Гааза и электрофизические свойства топологического изолятора Sb_2-xCu_xTe₃
Кульбачинский В.А., Зиновьев Д.А., Маслов Н.В., Кытин В.Г.

Received: October 25, 2018

DOI: 10.1134/S0044451019060130

PDF (279.8K)

Представлены результаты исследования влияния Cu на эффект Шубникова-де Гааза и электрофизические свойства монокристаллов p-Sb_2-xCu_xTe₃ (). В рамках параболической модели энергетического спектра по частотам осцилляций магнитосопротивления рассчитаны концентрации дырок и энергия Ферми в Sb_2-xCu_xTe₃. Показано, что легирование Cu дает акцепторный эффект и существенно повышает частоты осцилляций Шубникова-де Гааза. На зависимостях холловского сопротивления от магнитного поля наблюдаются плато. Зависимости сопротивления от температуры подчиняются степенному закону с показателем степени m=1.2, что характерно для рассеяния на фононах с вкладом рассеяния на ионизованных примесях. В отличие от других примесей показатель степени практически не изменяется при легировании Cu до максимальных исследованных концентраций.