Атермическое движение дислокаций на фронте нагружающего импульса
Ниненко С.И.

Received: April 20, 2018

DOI: 10.1134/S004445101808014X

PDF (228.3K)

Обсуждаются характер движения и причины остановки дислокаций при безактивационном движении дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах. Также предложена модель структурной перестройки примесных комплексов, вызванной пространственной переориентацией связанных экситонов, под действием внешних воздействий. В рамках этой модели могут быть объяснены известные эффекты фотопластичности, магнитопластичности и безактивационного движения дислокаций на фронте нагружающего импульса.