Универсальная частотная зависимость прыжковой ac-проводимости в структурах p-Ge/GeSi в режиме целочисленного квантового эффекта Холла
Дричко И.Л., Дмитриев А.А., Малыш В.А., Смирнов И.Ю., Гальперин Ю.М., H.von Kanel, Kummar M., Isella G., Chrastina D.

Received: September 6, 2017

DOI: 10.7868/S0044451018020116

PDF (349.5K)

С помощью комбинации акустических и микроволновых методов измерена прыжковая ac-проводимость, реализующаяся в минимумах поперечного кондактанса в режиме целочисленного эффекта Холла. Измерения выполнены в структурах с квантовыми ямами p-GeSi/Ge/GeSi в широком диапазоне частот (30-1200 МГц). Экспериментально измеренные частотные зависимости действительной части ac-кондактанса σ ₁ интерпретированы на основе модели, предполагающей прыжки между локализованными электронными состояниями, принадлежащими изолированным кластерам. При больших частотах доминирующие кластеры являются парами близких состояний; при уменьшении частоты становятся важными большие кластеры, которые при стремлении частоты к нулю сливаются в бесконечный перколяционный кластер. При этом частотные зависимости ac-проводимости могут быть представлены в виде одной универсальной кривой. Определены параметры скейлинга и их зависимость от магнитного поля.