Исследование оптимальной температуры отжига для усиления термоэлектрических свойств пленок ZnO, выращенных методом MOCVD
Махмуд Х., Али А., Аршад М.И., М.Айяз ун Наби, Н.Амин, С.Фараз Муртаза, С.Рабиа, М.Азар Хан

Received: August 8, 2016

DOI: 10.7868/S004445101704006X

PDF (185K)

to (Перевод с английского) to to INVESTIGATION OF OPTIMAL ANNEALING TEMPERATURE to FOR ENHANCED THERMOELECTRIC PROPERTIES OF MOCVD GROWN ZnO to toK. Mahmood, A. Ali, M. I. Arshad, M. Ajaz un Nabi, toN. Amin, S. Faraz Murtaza, S. Rabia, M. Azhar Khan to Показана возможность оптимизации температуры отжига для усиления термоэлектрических свойств ZnO. Тонкие пленки ZnO выращивались на сапфировой подложке методом осаждения из газообразной фазы (MOCVD). Выращенные пленки отжигались в атмосфере кислорода в течение часа при температурах 600-1000С с шагом 100С. Измерение термоэлектрического эффекта при комнатной температуре показало, что коэффициент Зеебека неотожженного образца составляет 152 мкВ/K при концентрации носителей см³. Коэффициент Зеебека пленок увеличивается с 212 до 415 мкВ/K при отжиге до T=900С, а затем уменьшается при T=1000С. Расчет фактора мощности показал, что он имеет тенденцию к увеличению с ростом температуры отжига. Данное наблюдение объясняется в рамках теоретического подхода, связывающего усиление термоэлектрических свойств с улучшением структуры тонких пленок ZnO. Измерение эффекта Холла и данные по фотолюминесценции убедительно подтверждают предлагаемое объяснение.