Влияние температуры и магнитного поля на беспорядок в полупроводниковых структурах
Агринская Н.В., Козуб В.

Received: August 10, 2016

DOI: 10.7868/S0044451017020158

PDF (217.4K)

Выполнен последовательный теоретический анализ различных факторов, которые могут приводить к влиянию температуры и внешнего магнитного поля на характер беспорядка в полупроводниковых структурах. Основное внимание уделено структурам квантовых ям, в которых легированы или только ямы, или и ямы, и барьеры, причем степень легирования предполагается близкой к переходу металл-диэлектрик. Среди указанных факторов: а) ионизация локализованных состояний в область делокализованных состояний над краем подвижности, наличие которого предполагается в примесной зоне; б) сосуществование верхней и нижней зон Хаббарда (при легировании как ям, так и барьеров); при этом, в частности, внешнее магнитное поле влияет на относительный вклад верхней зоны Хаббарда за счет спиновых корреляций на двукратно заполненных узлах; в) вклад обменного взаимодействия в парах узлов, при котором внешнее магнитное поле может влиять на соотношение между ферромагнитными и антиферромагнитными конфигурациями. Все эти факторы, влияя на структуру и силу беспорядка, приводят как к особенностям температурной зависимости сопротивления, так и к специфическим особенностям магнитосопротивления. Полученные выводы сравниваются с имеющимися экспериментальными данными.