Магнитные и поглощающие свойства замещенных гексаферритов M-типа BaFe_12-xGa_xO₁₉ (0.1
Труханов С.В., Труханов А.В., Панина Л.В., Казакевич И.С., Турченко В.А., Олейник В.В., Яковенко Е.С., Мацуй Л.Ю.

Received: March 23, 2016

DOI: 10.7868/S004445101609011X

PDF (1510.4K)

С помощью метода порошковой рентгеновской дифракции определены параметры элементарной ячейки и уточнена кристаллическая структура твердых растворов гексагонального феррита бария M-типа BaFe_12-xGa_xO₁₉ (x=0.1-1.2) с изоструктурным диамагнитным замещением катионами Ga³⁺ при T=300 К. Показано, что с ростом уровня замещения параметры элементарной ячейки монотонно уменьшаются. Методом вибрационной магнитометрии исследованы температурные (300 K\leq T\leq 750 K, H= 8.6 кЭ) и полевые (T=300 K, -20 кЭ\leq H\leq 20 кЭ) зависимости удельной намагниченности данных твердых растворов. Построена концентрационная зависимость температуры Кюри T_C, а также спонтанной удельной намагниченности и коэрцитивной силы при 300 K. Показано, что с ростом уровня замещения магнитные параметры уменьшаются. Исследованы также микроволновые свойства рассматриваемых твердых растворов во внешнем подмагничивающем поле ( кЭ). Показано, что с ростом концентрации катионов Ga³⁺ от x=0.1 до x=0.6 значение частоты естественного ферромагнитного резонанса вначале уменьшается, а при дальнейшем увеличении концентрации до x=1.2 вновь возрастает. С увеличением концентрации катионов Ga³⁺ ширина линии естественного ферромагнитного резонанса возрастает, что указывает на увеличение частотного диапазона, где происходит интенсивное поглощение электромагнитного излучения. При этом амплитуда пика резонансной кривой изменяется незначительно. Сдвиг частоты естественного ферромагнитного резонанса во внешнем магнитном поле проходит более интенсивно для образцов с малыми концентрациями катионов Ga³⁺. Показана роль диамагнитного замещения, а также перспективность и преимущество использования замещенного Ga-бариевого гексаферрита в качестве материала, поглощающего высокочастотное электромагнитное излучение.