Усиление электромагнитного поля в ограниченных одномерных фотонных кристаллах
Горелик В.С., Капаев В.В.

Received: December 30, 2015

DOI: 10.7868/S0044451016090017

PDF (580.5K)

Исследовано распределение электромагнитного поля в ограниченном одномерном фотонном кристалле с использованием численного решения уравнений Максвелла методом матрицы переноса. Зависимость коэффициента пропускания T от периода d (или длины волны λ ) имеет характерный вид с M-1 (M - число периодов в структуре) максимумов T=1 в области, соответствующей разрешенной зоне бесконечного кристалла, и нулевыми значениями в области запрещенной зоны. Распределение модуля поля E(x) в структуре для параметров, соответствующих максимумам пропускания, ближайшим к границам запрещенных зон, имеет максимумы в центре структуры, причем значение в максимуме существенно превышает величину падающего на структуру поля. Для количества периодов наблюдается усиление поля более чем на порядок. Для интерпретации численных результатов построена аналитическая теория, основанная на представлении решения в виде линейной комбинации встречных мод Флоке периодической структуры.