Динамика каскадного захвата электронов на заряженные доноры в GaAs и InP
Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В.

Received: February 29, 2016

DOI: 10.7868/S0044451016080137

PDF (331K)

Вычислены времена каскадного захвата электрона на заряженную примесь для случая импульсного и стационарного возбуждений примесной фотопроводимости в GaAs и InP. Показано, что характерные времена захвата при импульсном и непрерывном возбуждении заметно отличаются как друг от друга, так и от значения, даваемого формулой Абакумова-Переля-Яссиевич для концентраций заряженной примеси большей 10¹⁰ см^-3. Установлена причина этого различия. Обобщена формула Абакумова-Переля-Яссиевич для сечения каскадного захвата в случае стационарного возбуждения. Найдены зависимости частоты каскадного захвата от концентрации заряженной примеси в GaAs и InP для трех температур в случае импульсного возбуждения.