НАСЫЩЕНИЕ НИЗКОПОРОГОВОЙ ДВУХПЛАЗМОННОЙ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НЕУСТОЙЧИВОСТИ НЕОБЫКНОВЕННОЙ ВОЛНЫ В НЕОДНОРОДНОЙ ПЛАЗМЕ
Попов А.Ю., Гусаков Е.З.

Received: February 9, 2015

DOI: 10.7868/S0044451015080246

DJVU (187K)

PDF (422.1K)

Анализируется насыщение низкопороговой параметрической распадной неустойчивости электронной циклотронной волны необыкновенной поляризации, в результате развития которой в окрестности локального максимума профиля плотности плазмы возбуждаются два верхнегибридных плазмона на частотах, близких к половине частоты волны накачки. В качестве механизма насыщения этой неустойчивости используется каскадный распад дочерних верхнегибридных волн, приводящий к возбуждению вторичных верхнегибридных и нижнегибридных волн, также радиально локализованных в окрестностях соответственно локальных максимума и минимума профиля плотности плазмы.