ПРИЧИНЫ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ В ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЙ СИСТЕМЕ СЕРОВОДОРОДА
Дегтяренко Н.Н., Мазур Е.А.

Received: March 11, 2015

DOI: 10.7868/S0044451015080118

DJVU (412.3K)

PDF (2925.2K)

Рассчитаны электронные и фононные спектры, а также плотности электронных и фононных состояний стабильной орторомбической структуры сероводорода SH₂ в интервале давлений 100-180 ГПа. Обнаружено, что при давлении 175 ГПа в результате структурной модификации элементарной ячейки под давлением в кристалле образуется набор параллельных плоскостей из атомов водорода с полным сосредоточением всех атомов водорода в этих плоскостях. В результате электронные свойства системы приобретают квазидвумерный характер. Исследован характер коллективных синфазных колебаний и колебаний в противофазе атомов водорода в данных плоскостях, приводящих к появлению двух узких высокоэнергетических пиков в плотности фононных состояний.