АНИЗОТРОПИЯ РАСПЫЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА САПФИРА
Миннебаев К.Ф., Толпин К.А., Юрасова В.Е.

Received: January 13, 2015

DOI: 10.7868/S0044451015080076

DJVU (200.2K)

PDF (1175.6K)

Экспериментально исследовано пространственное распределение частиц, распыленных с базисной грани (0001) монокристалла сапфира с тригональной кристаллической решеткой (α-Al₂O₃), которую можно представить как наложение двух ГПУ-решеток: идеальной для кислорода и несколько деформированной для алюминия. Обнаружено, что выход распыленных частиц с базисной плоскости сапфира происходит в основном по сторонам неправильного шестиугольника с пятнами на его вершинах. Изучены картины пятен при распылении частиц с грани (0001) цинка - монокристалла с ГПУ-решеткой. Пятна распыления цинка расположены на вершинах нескольких концентрических равносторонних шестиугольников. И в том, и в другом случае наблюдаемая анизотропия распыления связана с фокусированными соударениями (прямая и дополнительная фокусировка) и с процессом каналирования. Исследован химический состав картин пятен сапфира в различных участках напыленного осадка. Проведено обсуждение результатов и сравнение их с данными, полученными нами ранее для вторичной ионной эмиссии из монокристалла α-Al₂O₃.