Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 148, No. 2, p. 258 (August 2015)
(English translation - JETP, Vol. 121, No. 2, p. 222, August 2015 available online at www.springer.com )

АНИЗОТРОПИЯ РАСПЫЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА САПФИРА
Миннебаев К.Ф., Толпин К.А., Юрасова В.Е.

Received: January 13, 2015

DOI: 10.7868/S0044451015080076

DJVU (200.2K) PDF (1175.6K)

Экспериментально исследовано пространственное распределение частиц, распыленных с базисной грани (0001) монокристалла сапфира с тригональной кристаллической решеткой (α-Al2O3), которую можно представить как наложение двух ГПУ-решеток: идеальной для кислорода и несколько деформированной для алюминия. Обнаружено, что выход распыленных частиц с базисной плоскости сапфира происходит в основном по сторонам неправильного шестиугольника с пятнами на его вершинах. Изучены картины пятен при распылении частиц с грани (0001) цинка - монокристалла с ГПУ-решеткой. Пятна распыления цинка расположены на вершинах нескольких концентрических равносторонних шестиугольников. И в том, и в другом случае наблюдаемая анизотропия распыления связана с фокусированными соударениями (прямая и дополнительная фокусировка) и с процессом каналирования. Исследован химический состав картин пятен сапфира в различных участках напыленного осадка. Проведено обсуждение результатов и сравнение их с данными, полученными нами ранее для вторичной ионной эмиссии из монокристалла α-Al2O3.

 
Report problems