Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 145, No. 4, p. 684 (April 2014)
(English translation - JETP, Vol. 118, No. 4, p. 600, April 2014 available online at www.springer.com )

МОДИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ И ФОРМИРОВАНИЕ АККУМУЛЯЦИОННОГО СЛОЯ УЛЬТРАТОНКИХ ИНТЕРФЕЙСОВ Ba/n- GaN И Ba/n- AlGaN
Бенеманская Г.В., Тимошнев С.Н., Франк-Каменецкая Г.Э., Иванов С.В., Марченко Д.Е., Илуридзе Г.Н.

Received: April 17, 2013

DOI: 10.7868/S0044451014040119

DJVU (209.1K) PDF (444.5K)

Проведены фотоэмиссионные исследования ФЭС in situ электронной структуры n- GaN(0001), Alx Ga1-x N(0001) при x=0.16, 0.42 и интерфейсов Ba/n-GaN, Ba/AlGaN в диапазоне субмонослойных Ba-покрытий. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны, спектры поверхностных состояний и остовных 3d-уровней Ga, 2p-уровней Al и 4d-, 5p-уровней Ba при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 50-400 эВ. Обнаружен спектр собственных поверхностных состояний Alx Ga1-x N (x=0.16, 0.42). Найдено, что в процессе формирования интерфейсов Ba/n- GaN и Ba/AlGaN происходит существенное изменение электронной структуры поверхности и приповерхностной области. Во-первых, обнаружен эффект сужения спектра фотоэмиссии в области валентной зоны примерно от 10 эВ до 2 эВ и, во-вторых, наблюдается подавление собственных поверхностных состояний. Для интерфейсов Ba/n- GaN, Ba/n- Al0.16 Ga0.84 N найдено, что адсорбция Ba индуцирует появление нового фотоэмиссионного пика в запрещенной зоне на уровне Ферми. Установлено, что природа пика связана с созданием аккумуляционного слоя за счет изменения приповерхностного потенциала и обогащающего изгиба зон. Показано, что энергетическими параметрами потенциальной ямы аккумуляционного слоя можно целенаправленно управлять за счет изменения степени Ba-покрытия.

 
Report problems