ВЛИЯНИЕ КАЧЕСТВА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ НА ХАРАКТЕР МЕЖСЛОЕВОГО ЭЛЕКТРОННОГО ПЕРЕНОСА В КВАЗИДВУМЕРНОМ ОРГАНИЧЕСКОМ МЕТАЛЛЕ ( ET)₈ Hg₄ Cl₁₂( C₆ H₅ Cl)₂
Любовский Р.Б., Песоцкий С.И., Жиляева Е.И., Торунова С.А., Флакина А.М., Любовская Р.Н.

Received: September 3, 2012

DOI: 10.7868/S0044451013060165

DJVU (73.4K)

PDF (277.8K)

Изучено поведение магнитосопротивления при различных направлениях магнитного поля в двух, различающихся по качеству образцах квазидвумерного органического металла (ET)₈ Hg₄ Cl₁₂( C₆ H₅ Cl)₂. Показано, что межслоевой перенос в более качественном образце близок к когерентному режиму. В то же время в менее качественном образце ему в большей степени соответствует слабо некогерентный перенос.