ИНДУЦИРОВАНИЕ СПИН-ФЛИП-ПРОЦЕССАМИ РЕЗОНАНСА ФАНО ПРИ ТУННЕЛИРОВАНИИ ЭЛЕКТРОНА ЧЕРЕЗ СПИНОВЫЕ СТРУКТУРЫ АТОМНОГО МАСШТАБА
Вальков В.В., Аксенов С.В., Уланов Е.А.

Received: August 31, 2012

DOI: 10.7868/S0044451013050248

DJVU (92.2K)

PDF (281.1K)

Показано, что включение неупругих спин-зависящих процессов рассеяния электрона на потенциальных профилях одиночной магнитной примеси и спинового димера инициирует резонансные особенности, обусловленные эффектом Фано, в транспортных характеристиках таких спиновых структур атомного масштаба. Для реализации резонанса и антирезонанса Фано принципиальную роль играют спин-флип-процессы, приводящие к конфигурационному взаимодействию состояний системы. Установлено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет радикально изменять проводящие свойства спиновых структур через резонансный механизм Фано.