КИНЕТИКА ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНА МЕЖДУ АНТИМОРФНЫМИ ДЕФЕКТАМИ В ОПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ С ПОДВИЖНЫМИ КАТИОНАМИ
Огородников И.Н., Киселева М.С.

Received: November 26, 2011

DJVU (226K)

PDF (797.1K)

В рамках теории диффузионно-контролируемой туннельной рекомбинации проведен анализ экспериментальных данных по короткоживущему оптическому поглощению в видимой и ультрафиолетовой областях спектра для широкозонных оптических кристаллов боратов лития Li₂ B₄ O₇, LiB₃ O₅, Li₆ Gd(BO₃)₃ и дигидрофосфатов калия KH₂ PO₄ и аммония NH₄ H₂ PO₄. Показано, что импульсное радиационное воздействие наносекундной длительности приводит к формированию в данных кристаллах пар дефектов в виде дырочных центров поляронного типа и электронных центров на основе междоузельных катионов, кинетика релаксации которых в широкой временной области 10^-8-10 с описывается предложенной в работе моделью туннельного переноса электрона между антиморфными дефектами катионной подрешетки в условиях термостимулированной подвижности одного из партнеров рекомбинационного процесса. Для каждого из перечисленных кристаллов определены численные значения кинетических параметров и рассчитаны временные зависимости констант скоростей реакций, что дает возможность моделировать динамику изменения оптических свойств данных материалов в условиях импульсного радиационного воздействия.