Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 141, No. 6, p. 1183 (June 2012)
(English translation - JETP, Vol. 114, No. 6, June 2012 available online at www.springer.com )

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И УРОВЕНЬ ЛОКАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНЕЙТРАЛЬНОСТИ ПОЛИТИПОВ SiC ИЗ КВАЗИЧАСТИЧНЫХ РАСЧЕТОВ В РАМКАХ GW-ПРИБЛИЖЕНИЯ
Брудный В.Н., Кособуцкий А.В.

Received: July 13, 2011

DJVU (98.6K) PDF (281K)

С использованием GW-приближения для собственной энергии квазичастиц рассчитаны важнейшие межзонные переходы и положение уровня локальной зарядовой нейтральности (CNL) для политипов карбида кремния 3C-SiC и n H-SiC (n=2-8). Теоретические значения ширины Eg запрещенной зоны различных политипов, находящиеся в диапазоне 2.38 эВ( 3C-SiC)-3.33 эВ( 2H-SiC), очень близки экспериментальным данным в интервале 2.42-3.33 эВ. Квазичастичные поправки к величине Eg, определенной из расчетов DFT-LDA, почти не зависят от кристаллической структуры политипа и составляют около 1.1 эВ. Обнаружено, что положение CNL в различных политипах мало отличается друг от друга, при этом изменение величины CNL слабо коррелирует с изменением Eg, которая растет с увеличением степени гексагональности SiC. Рассчитанное значение CNL варьируется от 1.74 эВ в политипе 3C-SiC до 1.81 эВ в 4H-SiC.

 
Report problems