РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ В СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ОКСИДАХ BаРb_1-x Sb_x O₃: ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДАМИ ДВОЙНОГО ЯДЕРНОГО МАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА
Пискунов Ю.В., Оглобличев В.В., Арапова И.Ю., Садыков А.Ф,, Геращенко А.П., Верховский С.В.

Received: April 6, 2011

DJVU (152K)

PDF (583.7K)

Методами ЯМР экспериментально исследовано влияние зарядового беспорядка на формирование неоднородного состояния электронной системы зоны проводимости в сверхпроводящих оксидах BаPb_1-x Sb_x O₃. Выполнены систематические измерения ЯМР-спектров ¹⁷ O и идентифицированы вклады в эти спектры атомов ¹⁷ O, имеющих различное ближнее окружение катионов. Установлено, что в пределах двух координационных сфер вблизи ионов сурьмы формируются микрообласти с повышенной спиновой плотностью носителей. Обнаружены микроскопически распределенные по образцу зародыши полупроводниковой фазы оксида (области с повышенным содержанием сурьмы) в составах с x=0.25 и x=0.33. Впервые выполнены эксперименты по измерению сигнала двойного резонанса спинового эха ¹⁷ O-²⁰⁷ Pb, 17 O-¹²¹ Sb} в металлической фазе оксидов BaPb_1-x Sb_x O₃. Определены константы косвенного гетероядерного спин-спинового взаимодействия ¹⁷ O-²⁰⁷ Pb в зависимости от величины локального найтовского сдвига ²⁰⁷K_s. Оценки констант косвенного взаимодействия ядер ближайших соседей, атомов O- Pb и Pb- Pb, а также анализ эволюции ЯМР-спектров ¹⁷ O при изменении концентрации сурьмы дают убедительные свидетельства в пользу развития микроскопически неоднородного состояния электронной системы в металлической фазе оксидов BаPb_1-x Sb_x O₃.