ZhETF, Vol. 140,
No. 4,
p. 801 (October 2011)
(English translation - JETP,
Vol. 113, No. 4,
p. 698,
October 2011
available online at www.springer.com
)
ТРАНСПОРТ ЭЛЕКТРОНОВ И СПИНОВ В АДИАБАТИЧЕСКОМ КВАНТОВОМ НАСОСЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНОВЫХ НАНОЛЕНТ
Гричук Е.С., Маныкин Э.А.
Received: April 1, 2011
Численно анализируется эффект адиабатического квантового насоса в двухбарьерных структурах на основе графеновых нанолент. Рассчитан заряд, проходящий через систему за один цикл изменения управляющих потенциалов (высот барьеров). Показано, что при определенных условиях этот заряд квантуется. Рассмотрена возможность генерирования не только электронных, но также спиновых и чисто спиновых токов. В устройствах на основе нанолент типа «зигзаг» спиновый ток возникает при учете их магнитной структуры и приложении поперечного электрического поля, нарушающего симметрию между спинами «вверх» и «вниз». В устройствах на основе нанолент типа «кресло», не обладающих магнитной структурой, такая симметрия нарушается при использовании ферромагнитного диэлектрика (нанесенного, например, на область между затворами) за счет эффекта близости.
|
|