ЭФФЕКТЫ НЕУПРУГОГО СПИН-ЗАВИСЯЩЕГО ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА ЧЕРЕЗ СПИНОВУЮ НАНОСТРУКТУРУ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Вальков В.В., Аксенов С.В.

Received: October 30, 2009

DJVU (144.3K)

PDF (408.4K)

В приближении сильной связи при использовании формализма Ландауэра - Буттикера исследованы транспортные и вольт-амперные характеристики (ВАХ) системы спиновых димеров с антиферромагнитной связью, расположенных между металлическими контактами. Показано, что s-d(f)-обменное взаимодействие между спиновыми моментами транспортируемых электронов и спинами наноструктуры приводит как к созданию потенциального профиля, так и к его изменению за счет спин-флип-процессов. В результате спин-зависящий транспорт становится неупругим, а коэффициент прохождения и ВАХ - сильно модифицированными. Обнаружено, что включение магнитного поля индуцирует дополнительные пики прозрачности в спектральной характеристике системы и вызывает эффект колоссального магнитосопротивления.