![](/img/nop.png)
ZhETF, Vol. 140,
No. 2,
p. 305 (August 2011)
(English translation - JETP,
Vol. 113, No. 2,
p. 266,
August 2011
available online at www.springer.com
)
ЭФФЕКТЫ НЕУПРУГОГО СПИН-ЗАВИСЯЩЕГО ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА ЧЕРЕЗ СПИНОВУЮ НАНОСТРУКТУРУ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Вальков В.В., Аксенов С.В.
Received: October 30, 2009
В приближении сильной связи при использовании формализма Ландауэра - Буттикера исследованы транспортные и вольт-амперные характеристики (ВАХ) системы спиновых димеров с антиферромагнитной связью, расположенных между металлическими контактами. Показано, что s-d(f)-обменное взаимодействие между спиновыми моментами транспортируемых электронов и спинами наноструктуры приводит как к созданию потенциального профиля, так и к его изменению за счет спин-флип-процессов. В результате спин-зависящий транспорт становится неупругим, а коэффициент прохождения и ВАХ - сильно модифицированными. Обнаружено, что включение магнитного поля индуцирует дополнительные пики прозрачности в спектральной характеристике системы и вызывает эффект колоссального магнитосопротивления.
|
|