ZhETF, Vol. 139,
No. 5,
p. 835 (May 2011)
(English translation - JETP,
Vol. 112, No. 5,
p. 725,
May 2011
available online at www.springer.com
)
РАСПАД ОТРИЦАТЕЛЬНОГО МОЛЕКУЛЯРНОГО ИОНА В ПОСТОЯННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Борзунов С.В., Манаков Н.Л., Старас А.Ф., Фролов М.В.
Received: May 17, 2010
Рассматривается задача о сдвиге и уширении энергетических уровней электрона в поле двух трехмерных короткодействующих потенциалов (например, модель отрицательного молекулярного иона) постоянным электрическим полем напряженностью F. Взаимодействие электрона с притягивающими центрами учитывается в приближении эффективного радиуса. Рассмотрены случаи, когда оба центра поддерживают слабосвязанные s-состояния и когда состояние электрона в поле одного из центров является p-состоянием. Приведены точные численные результаты для сдвига и ширины энергетических уровней квазимолекулы как функции напряженности F, расстояния между атомными центрами (R) и ориентации оси квазимолекулы относительно вектора F, а также результаты аналитического анализа для ряда предельных случаев. Выполнено сравнение точных значений комплексных энергий квазимолекулы с аналитическими результатами для слабого поля в случае идентичных s-центров [26], а также неэквивалентных s-центров и s-p-центров, и установлены границы применимости приближения слабого поля. Показано, что при достаточно больших R положение и ширина уровней в сильном поле хорошо описываются в рамках теории возмущений по обменному взаимодействию. Исследовано обусловленное полем квазипересечение молекулярных термов системы с неэквивалентными атомными центрами и связанные с ним особенности ширины термов. Полученные результаты позволяют дать качественную интерпретацию ряда результатов численных расчетов вероятностей ионизации гомо- и гетероядерных молекул низкочастотным лазерным полем.
|
|