РАЗОГРЕВ И ОХЛАЖДЕНИЕ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА ТЕРАГЕРЦЕВЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ
Будкин Г.В., Тарасенко С.А.

Received: August 25, 2010

DJVU (125.7K)

PDF (326.8K)

Исследовано поглощение терагерцевого излучения свободными носителями заряда в полупроводниковых квантовых ямах n-типа, сопровождаемое взаимодействием электронов с акустическими и оптическими фононами. Показано, что внутриподзонные оптические переходы могут приводить как к разогреву, так и к охлаждению электронного газа. Эффект охлаждения носителей заряда происходит в определенной области температур и частот излучения, в которой наиболее эффективным механизмом поглощения света являются внутриподзонные переходы с испусканием оптических фононов. В квантовых ямах GaAs оптическое охлаждение электронов идет наиболее эффективно в области азотных температур, а в гетероструктурах на основе GaN возможно даже при комнатной температуре.