![](/img/nop.png)
ZhETF, Vol. 138,
No. 6,
p. 1043 (December 2010)
(English translation - JETP,
Vol. 111, No. 6,
p. 921,
December 2010
available online at www.springer.com
)
МНОГОЧАСТИЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ОБРАЗОВАНИИ МНОГОЗАРЯДНЫХ ИОНОВ В СИЛЬНОМ ЛАЗЕРНОМ ПОЛЕ
Зон Б.А., Корнев А.С., Туленко Е.Б.
Received: May 13, 2010
Проведен учет некоторых многочастичных эффектов при образовании многозарядных ионов в лазерном поле: неупругого туннельного эффекта, коллективного туннельного эффекта, релаксации атомного остова по проекции магнитного момента. Рассмотрены сильные поля с интенсивностью, превышающей 1017 Вт/см2, когда на свободное движение фотоэлектрона действует магнитная компонента лазерного поля, поэтому образование многозарядных ионов вследствие перерассеяния становится маловероятным. Численные расчеты проведены для ионов Ar9+ Ar13+, Kr19+ Kr23+, Rb10+ и Rb11+. Обнаружен существенный вклад коллективного туннельного эффекта, который в более слабых полях, исследованных авторами ранее, не наблюдался. Показано, что учет коллективного туннелирования снижает интенсивность, приводящую к насыщению, более, чем на 10 %. При этом выход многозарядных ионов Rb изменяется на порядок, а выход многозарядных ионов Ar и Kr - более, чем в два раза. Проведено сравнение с экспериментальными данными по образованию ионов аргона под воздействием линейно поляризованного лазерного импульса.
|
|