ЭЛЕКТРОННЫЙ ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ ПЕРЕХОД В ОБЛАСТИ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ КВАНТОВОГО ПРЕДЕЛА ПРИ H \parallel C₂ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ СПЛАВЕ n- Bi- Sb
Редько Н.А., Каган В.Д., Волков М.П.

Received: March 30, 2010

DJVU (90.6K)

PDF (275.5K)

Проведены измерения гальваномагнитных свойств монокристаллических образцов полупроводникового сплава Bi_0.93 Sb_0.07 с концентрацией электронов см^-3 в магнитных полях до 14T при T=1.6 K. Удельное сопротивление ρ и коэффициент Холла R измерены в зависимости от магнитного поля, направленного вдоль бинарной оси кристалла при токе через образец вдоль биссекторной оси, т. е. измерены компоненты ρ₂₂ и R_32,1. Сильная анизотропия электронного спектра сплавов позволила наблюдать раздельно квантовые осцилляции магнитосопротивления ρ₂₂( H) при в небольших магнитных полях для электронов двух эквивалентных эллипсоидов с малым экстремальным сечением (побочные эллипсоиды) и в больших магнитных полях для электронов эллипсоида с большим экстремальным сечением (главный эллипсоид). Рост энергии электронов побочных эллипсоидов в магнитных полях квантового предела приводил к перетеканию их в главный эллипсоид, т. е. наблюдался электронный топологический переход от трехдолинного электронного спектра к однодолинному. После полного перетекания энергия Ферми E_F увеличивалась c 18 мэВ до 27.8 мэВ. С ростом квантующего магнитного поля энергия Ферми электронов уменьшалась как в области квантовых осцилляций сопротивления, связанных с электронами побочных эллипсоидов, так и в области осцилляций, связанных с электронами главного эллипсоида. Коэффициент Холла R_32,1 уменьшался в больших магнитных полях, что свидетельствует об отсутствии эффекта магнитного вымораживания электронов.