ZhETF, Vol. 138,
No. 2,
p. 249 (August 2010)
(English translation - JETP,
Vol. 111, No. 2,
p. 220,
August 2010
available online at www.springer.com
)
МАГНИТОТУННЕЛЬНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛЯРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В КВАНТОВОЙ ЯМЕ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА
Попов В.Г., Криштоп В.Г., Макаровский О., Хенини М.
Received: March 30, 2010
Представлены результаты тщательного исследования резонансного туннелирования электронов в планарных магнитных полях, которое обнаружило эффект антикроссинга в спектре двумерных электронов при энергиях оптических фононов в планарном магнитном поле. Магнитное поле изменяет импульс туннелирующих электронов и вызывает сдвиг резонанса в туннельных спектрах в соответствии с дисперсией двумерных электронов. Антикроссинг уверенно наблюдается во вторых производных вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода, выполненного в виде двухбарьерной гетероструктуры типа Al0.4 Ga0.6 As/GaAs.
|
|
Golden Pages
DJVU (112.6K)
PDF (497.4K)