Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 137, No. 6, p. 1151 (June 2010)
(English translation - JETP, Vol. 110, No. 6, p. 1005, June 2010 available online at www.springer.com )

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭВОЛЮЦИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ НАНОКЛАСТЕРОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ГРАФИТА
Борман В.Д., Пушкин М.А., Тронин В.Н., Троян В.И.

Received: July 28, 2009

DJVU (416.5K) PDF (1054.7K)

Представлены результаты экспериментального исследования электронных свойств нанокластеров переходных ( Cr, Co, Ni) и благородных ( Cu, Au) металлов на поверхности высокоориентированного пиролитического графита методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Получены зависимости изменения энергии связи Δ Eb, энергий начального Δ Ei и конечного Δ Ef состояний остовных электронов атомов нанокластеров, а также собственной ширины γ и индекса сингулярности α фотоэлектронных линий от размера кластеров d. Обнаружено качественное различие поведения зависимостей Δ Ei(d) и α(d) для двух групп металлов, Ni, Cr и Co, Cu. Поведение энергии конечного состояния (Δ Ef<0) и ширины линии (Δγ>0) одинаково для кластеров всех исследованных металлов. Показано, что заметный вклад в Ei оказывает перенос валентных электронов на границе раздела кластер-подложка, вызванный контактной разностью потенциалов. Определено значение нескомпенсированного заряда, приходящегося на один нанокластер, в зависимости от его размера и числа атомов в кластере. Зависимость Δ Ef(d) обусловлена кулоновской энергией заряженного кластера и ослаблением электронной экранировки, которое для исследованных металлов оказывается различным. Уширение фотоэлектронных линий определяется распределением кластеров по размерам и ослаблением электронной экранировки в конечной ферми-системе. Асимметрию спектров остовных уровней нанокластеров удается объяснить в рамках явления возбуждения электрон-дырочных пар вблизи уровня Ферми. Рассмотрено влияние структуры плотности электронных состояний d-зоны переходных металлов на асимметрию фотоэлектронных линий и сделан вывод о качественном изменении структуры плотности состояний вблизи уровня Ферми при уменьшении размера нанокластеров. Полученные результаты свидетельствуют о том, что поведение электронной подсистемы кластеров исследованных d-металлов в диапазоне размеров 2-10 нм близко к поведению нормальной ферми-системы.

 
Report problems