ТУННЕЛЬНАЯ ИНЖЕКЦИЯ ДЫРОК ЧЕРЕЗ ЛОВУШКИ В SiO₂: ЭКСПЕРИМЕНТ И ТЕОРИЯ
Насыров К.А., Шаймеев С.С., Гриценко В.А.

Received: December 27, 2008

PACS: 72.20.-i, 72.20.Jv

DJVU (120.8K)

PDF (317.4K)

Экспериментально изучена инжекция дырок из кремния через оксид кремния SiO₂ в структуре нитрид тантала - оксид алюминия - нитрид кремния - оксид кремния - кремний (TANOS). Применение диэлектрика Al₂ O₃ с высокой диэлектрической проницаемостью в качестве блокирующего диэлектрика подавляет паразитную инжекцию электронов из проводящего контакта TaN, что позволяет изучать инжекцию дырок из подложки в нитрид до сравнительно высоких электрических полей. Полученные экспериментальные данные не описываются обычным законом Фаулера - Нордгейма с разумными физическими параметрами. В то же время эти результаты хорошо согласуются с моделью туннельной инжекции дырок через ловушки в SiO₂. Развитая теория показывает, что в этот процесс основной вклад дают ловушки в узком энергетическом слое, т. е. такая инжекция носит резонансный характер.