ДИНАМИКА ПЕРЕХОДА ОТ РЕЖИМА СЛАБОЙ СВЯЗИ К РЕЖИМУ СИЛЬНОЙ СВЯЗИ В СИСТЕМЕ ЭКСИТОННЫХ ПОЛЯРИТОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МИКРОРЕЗОНАТОРАХ
Белых В.В., Нгуен М.Х., Сибельдин Н.Н., Скориков М.Л., Цветков В.А., Шарков А.В.

Received: March 26, 2009

PACS: 71.36.+c, 78.47.+p, 78.45.+h

DJVU (142.9K)

PDF (398.8K)

Исследована временн&аacute;я динамика излучения микрорезонатора на основе GaAs со встроенными квантовыми ямами при нерезонансном оптическом возбуждении. Измерены кинетические зависимости интенсивности, спектрального положения и ширины линии при спонтанном и стимулированном излучениях микрорезонатора. Установлено, что динамика высокочастотного сдвига линии качественно подобна динамике интенсивности излучения, однако величина спектрального сдвига достигает максимума раньше, чем интенсивность излучения. Ширина линии излучения максимальна непосредственно после импульса возбуждения. В режиме спонтанного излучения она монотонно убывает с течением времени, приближаясь к своему значению при малой поляритонной плотности. В режиме генерации она минимальна, когда интенсивность стимулированного излучения достигает максимальной величины. Экспериментальные данные проанализированы на основе теоретической модели, описывающей процессы релаксации с учетом экситон-экситонного взаимодействия и взаимодействия экситонов со свободными носителями заряда.