ПОСТРОЕНИЕ МНОГОЭЛЕКТРОННОГО БАЗИСА ДЛЯ МОТТОВСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ С УЧЕТОМ СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ КОРРЕЛЯЦИЙ, СПИН-ОРБИТАЛЬНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ И КОВАЛЕНТНОСТИ
Орлов Ю.С., Овчинников С.Г.

Received: March 4, 2009

PACS: 71.10.-w, 71.15.-m, 71.27.+a

DJVU (188K)

PDF (368.9K)

Предложено использовать аппарат квантовой механики свободного атома, в частности теорию nj-символов и генеалогических коэффициентов Рака и Вигнера, обобщенную на случай точечных групп и широко применяемую в теории кристаллического поля, для конструирования многоэлектронных базисов с учетом ковалентности и спин-орбитального взаимодействия. Это дополнение позволило наиболее полно учесть электрон-электронное взаимодействие для 3d-ионов. Сконструированный таким образом базис может быть использован в обобщенном методе сильной связи для многозонной p-d-модели при описании структуры энергетического спектра квазичастиц и физических свойств систем с сильными электронными корреляциями. Процедура построения и расчета была продемонстрирована на примере ⁵T_2g-терма для d⁶ -конфигурации иона переходного металла в октаэдрическом поле. Показан механизм возникновения магнитной анизотропии в S-ионах ( Fe^{3 +}, Mn^{2 +}) за счет ковалентного подмешивания в основное состояние -конфигураций с ненулевым орбитальным моментом ( - дырка на лигандах).