ФЕРРОМАГНИТНЫЙ ПЕРЕХОД В СТРУКТУРАХ GaAs/ Mn/ GaAs/ In_x Ga_1-x As/ GaAs С ДВУМЕРНЫМ ДЫРОЧНЫМ ГАЗОМ
Панков М.А., Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Давыдов А.Б., Мейлихов Е.З., Фарзетдинова Р.М., Пашаев Э.М., Чуев М.А., Субботин И.А., Лихачев И.А., Звонков Б.Н., Лашкул А.В., Лайхо Р.

Received: January 21, 2009

PACS: 75.50.Pp, 71.55.Eq, 72.20.My, 72.25.Dc

DJVU (140.4K)

PDF (463.2K)

Исследованы транспортные свойства структур GaAs/ Mn/ GaAs/ In_x Ga_1-x As/ GaAs с удаленным от квантовой ямы слоем примесей Mn в диапазоне их содержаний 4-10 ат. %, которые соответствуют повторному переходу металл-изолятор, наблюдаемому в объемном GaMnAs [17]. Подвижность дырок в исследованных объектах более, чем на два порядка, превышала известные значения для GaMnAs и магнитных гетероструктур на его основе, что позволило наблюдать осцилляции Шубникова - де Гааза, подтверждающие двумерный характер энергетического спектра дырок. Расчетная температура Кюри для гетероструктур с косвенным обменным взаимодействием через двумерный дырочный канал хорошо согласуется с положением максимума (при 25-40 К) на температурных зависимостях сопротивления канала. Это свидетельствует о существенной роли двумерных дырок в ферромагнитном упорядочении слоя Mn в этих условиях. Обнаружения отрицательного спин-зависящего магнитосопротивления и аномального эффекта Холла, величина которого хорошо коррелирует с результатами теоретических расчетов для ферромагнитных двумерных систем на основе A^III_1-y Mn_y B^V также указывают на существенную роль двумерного канала в ферромагнитном упорядочении.