![](/img/nop.png)
ZhETF, Vol. 136,
No. 2,
p. 272 (August 2009)
(English translation - JETP,
Vol. 109, No. 2,
p. 227,
August 2009
available online at www.springer.com
)
ВЕРХНЕЕ КРИТИЧЕСКОЕ ПОЛЕ Hc2 В АНИЗОТРОПНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ С ПЕРЕМЕННОЙ ПЛОТНОСТЬЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА. ПРИМЕНЕНИЕ ТЕОРИИ К ДОПИРОВАННОМУ MgB2
Палистрант М.Е., Чеботарь И.Д., Урсу В.А.
Received: January 28, 2009
PACS: 74.25.Ha
Построена теория магнитных свойств двухзонного сверхпроводника с переменной плотностью носителей заряда. Определено верхнее критическое поле Hc2(ab), параллельное плоскости ab, и Hc2(c), параллельное оси c во всем температурном интервале 0c. Выявлено значительное увеличение верхнего критического поля Hc2(ab) по сравнению с Hc2(c) из-за сильной анизотропии системы. Получена также анизотропия коэффициента γH=Hc2(ab)/Hc2(c) как функция температуры для случая чистого MgB2, а также химического потенциала при замещении атомов Mg и B другими химическими элементами. Обнаружена корреляция между изменением температуры сверхпроводящего перехода с ростом химического потенциала и магнитными критическими полями Hc2(ab) и Hc2(c). Определено также влияние допирования на магнитную анизотропию.
|
|