ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ, ТРАНСПОРТНЫЕ И МАГНИТОТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ЛЕГИРОВАННЫХ МАРГАНЦЕМ СТРУКТУРАХ С КВАНТОВОЙ ЯМОЙ GaAs/InGaAs/GaAs
Кульбачинский В.А., Щурова Л.Ю.

Received: November 20, 2008

PACS: 72.15.Gd, 72.20.Dp, 72.25.-b, 73.43.Qt, 73.63.Hs

DJVU (174.4K)

PDF (435.4K)

Проанализированы результаты исследования магнитных и транспортных свойств δ-легированной углеродом и марганцем c разных сторон квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs при наличии ферромагнитной фазы. Сформулирована термодинамическая модель и с целью определения концентрации свободных носителей заряда проведены расчеты состава системы, состоящей из нейтральных атомов марганца, ионов марганца и дырок в квантовой яме. Вычислены вклады в сопротивление различных механизмов рассеяния дырок, получено хорошее согласие с экспериментальными зависимостями сопротивления от температуры. Получено количественное согласие вычисленных и экспериментальных значений отрицательного магнитосопротивления, связанного с изменением вклада рассеяния на магнитных ионах спин-поляризованной системы носителей заряда.