ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ ВТОРОГО ТИПА ZnSe/BeTe ПРИ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ
Зайцев С.В.

Received: October 1, 2008

PACS: 73.21.Cd, 73.22.Dj, 73.61.Ga

DJVU (207.1K)

PDF (504.6K)

Проведено детальное изучение фотолюминесценции в структурах второго типа с большой величиной разрыва зон ZnSe/BeTe при высоком уровне оптического возбуждения. Цель работы состоит в качественном и количественном описании влияния высокой плотности носителей на спектрально-кинетические особенности фотолюминесценции в таких структурах. Установлено, что высокая плотность фотовозбуждения приводит к существенной спектральной перестройке пространственно-непрямой излучательной рекомбинации, зависящей также от толщины слоев структуры. Выявлено качественное различие спектральных и кинетических характеристик непрямых оптических переходов в узких и широких структурах. Численные расчеты влияния макроскопических электрических полей на энергетический спектр свободных носителей при высоких плотностях пространственно-разделенных зарядов n >10¹³ см^-2 дают качественное и количественное описание наблюдаемых в эксперименте особенностей фотолюминесценции. Расчеты также показывают, что степень локализации надбарьерных дырочных состояний существенно растет с ростом n в условиях увеличивающегося изгиба зон, что должно приводить к ослаблению разделения зарядов, особенно в широких структурах. В эксперименте эффект проявляется в усилении интенсивности пространственно-прямого перехода при одновременном ослаблении непрямого перехода как с ростом ширины структуры, так и с ростом n.