Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 134, No. 5, p. 988 (November 2008)
(English translation - JETP, Vol. 107, No. 5, p. 846, November 2008 available online at www.springer.com )

КАНАЛЫ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В СИСТЕМЕ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ТОНКОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЕ Si0.93 Ge0.07/ Si
Багаев В.С., Зайцев В.В., Кривобок В.С., Лобанов Д.Н., Николаев С.Н., Новиков А.В., Онищенко Е.Е.

Received: May 29, 2008

PACS: 78.67.De, 71.10.Pm, 73.21.Fg, 71.35.Ee

DJVU (147.2K) PDF (732.1K)

Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследован переход «экситонный газ-плазма» (переход Мотта) в тонкой квантовой яме Si0.93 Ge0.07/ Si. Показано, что этот переход не является резким и происходит в диапазоне концентраций примерно от 6• 1010 см-2 до 1.2• 1012 см-2. При температуре 23 К и плотностях возбуждения больших 10 Вт/см2 обнаружена стабилизация формы и положения линии излучения электронно-дырочной плазмы с ростом накачки, что может свидетельствовать о наличии перехода электронно-дырочный газ-жидкость. Показано, что при гелиевых температурах и низких плотностях возбуждения в спектре квантовой ямы доминирует излучение экситона, связанного на боре, а при увеличении температуры выше 10 К - излучение свободного экситона. Обсуждается влияние однородного и неоднородного уширения на люминесценцию электронно-дырочной плазмы и экситонов.

 
Report problems