ПЛАЗМОННЫЙ МЕХАНИЗМ МАГНИТООСЦИЛЛЯЦИЙ СОПРОТИВЛЕНИЯ ДВУМЕРНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ СИСТЕМЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
Волков В.А., Тахтамиров Э.Е.

Received: October 18, 2006

PACS: 73.20.Mf, 73.43.Lp, 73.43.Qt, 73.50.Mx

DJVU (268.9K)

PDF (580.4K)

Развивается многоэлектронный подход к объяснению недавно обнаруженных магнитоосцилляций сопротивления в двумерных (2D) электронных системах под действием СВЧ-накачки [1] или сильного статического электрического поля [23]. Впервые учтено качественное изменение экранированного примесного потенциала в сильном электрическом поле. После перехода в систему покоя центра циклотронной орбиты примесный потенциал приобретает нестационарный характер и поэтому должен экранироваться динамическим образом. Это существенно изменяет картину примесного рассеяния в «чистой» двумерной системе: за возникновение диссипативного тока отвечают не одноэлектронные переходы между уровнями Ландау, а возбуждение двумерных магнитоплазмонов. В случае СВЧ-накачки каждый период осцилляций сопротивления по обратному магнитному полю формируется возбуждением соответствующей ветви магнитоплазмонов, а тонкая структура осцилляций - особенностями их плотности состояний. В «грязной» двумерной системе роль межэлектронного взаимодействия уменьшается, коллективные возбуждения перестают существовать и результаты переходят в известные, полученные в рамках одноэлектронного подхода.