ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА
Буга С.Г., Бланк В.Д., Терентьев С.А., Кузнецов М.С., Носухин С.А., Кульбачинский В.А., Кречетов А.В., Кытин В.Г., Кытин Г.А.

Received: June 13, 2006

PACS: 71.20.-b, 72.20.-i, 72.20.Ee

DJVU (108.3K)

PDF (722.7K)

Методом температурного градиента при высоких статических давлениях выращены монокристаллы алмаза с характерными размерами 2-7 мм, легированные бором в диапазоне концентраций 10¹⁹-10²⁰ см^-3. Измерена зависимость сопротивления R синтезированных монокристаллов от температуры в диапазоне 0.5 К K наблюдается активационная зависимость R(T) с энергией активации около 50 мэВ. При температурах ниже примерно 50 K зависимость проводимости от температуры сильнолегированных кристаллов пропорциональна T^1/2, что характерно для вырожденных полупроводников с большим количеством дефектов.