ДВУМЕРНЫЕ ЭЛЕКТРОНЫ НА ГЕТЕРОГРАНИЦЕ n-GaAs/Al_xGa_1-xAs ПРИ ОДНООСНОМ СЖАТИИ
Краак В., Савин А.М., Минина Н.Я., Ильевский А.А., Полянский А.В.

Received: May 22, 2006

PACS: 73.20.-r, 73.40.Kp

DJVU (99.5K)

PDF (489.2K)

Транспортные характеристики и квантовые осцилляции магнитосопротивления исследованы в гетероструктурах n-(001)GaAs/Al_xGa_1-xAs при температуре жидкого гелия и одноосном сжатии до 3.5 кбар. Установлено, что в условиях одноосного сжатия концентрация двумерных (2D) электронов на гетерогранице определяется в основном пьезоэлектрическим полем, возникающим вдоль направления [001], экранировка которого приводит к росту концентрации 2D-электронов на гетерогранице при сжатии вдоль направления [110] и к ее уменьшению при сжатии вдоль []. Формирование компенсирующего заряда на гетерогранице и его последующее перераспределение затруднены, что является причиной наблюдаемых релаксационных процессов в напряженной системе при достаточно больших давлениях. Согласно результатам исследования зависимостей анизотропии подвижностей и эффективной циклотронной массы от давления энергетический спектр 2D-электронов в исследуемой области давлений остается изотропным и параболическим.