АККУМУЛЯЦИОННЫЕ ЗАРЯДОВЫЕ СЛОИ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ СОСТОЯНИЯ УЛЬТРАТОНКИХ ИНТЕРФЕЙСОВ Cs, Ba/n-GаN(0001)
Бенеманская Г.В., Франк-Каменецкая Г.Е., Шмидт Н.М., Дунаевский М.С.

Received: March 15, 2006

PACS: 73.20.-r, 79.60.-i

DJVU (156.2K)

PDF (431K)

Установлено, что ультратонкие цезиевые и бариевые покрытия кардинально изменяют электронные свойства поверхности и приповерхностной области эпитаксиальных слоев GaN(0001) n-типа. Впервые за счет адсорбции на поверхности полупроводника сформирован квазидвумерный электронный канал - зарядовый аккумуляционный слой. Обнаружено, что фотоэмиссия из аккумуляционного слоя возбуждается видимым светом из области прозрачности GaN и характеризуется высоким квантовым выходом. Установлено, что фотоэмиссионные пороги h u_s и h u_p для s- и p-поляризованного возбуждения равны и соответствуют работе выхода. Найдено, что для интерфейсов Cs, Ba/n-GaN минимум работы выхода наблюдается при степенях Cs- или Ba-покрытий, близких к 0.5 монослоя. В электронном спектре поверхностных состояний интерфейсов Cs, Ba/n-GaN обнаружены две индуцированные зоны, обусловленные локальным взаимодействием адатомов цезия (бария) с оборванными связями галлия. Обнаружен новый для фотоэмиссии эффект - появление осцилляционной структуры в спектральных зависимостях фотовыхода. Предложена модель эффекта. Установлена корреляция электронных и фотоэмиссионных свойств интерфейсов со структурным совершенством эпитаксиальных слоев n-GaN(0001).