Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 130, No. 2, p. 319 (August 2006)
(English translation - JETP, Vol. 103, No. 2, August 2006 available online at www.springer.com )

КИНЕМАТИЧЕСКОЕ РАЗМНОЖЕНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНЫХ СТУПЕНЕЙ НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ ГЕЛИЯ
Паршин А.Я., Цымбаленко В.Л.

Received: March 14, 2006

PACS: 67.80.-s, 68.08.-p

DJVU (325.1K) PDF (677.2K)

В рамках приближения слабой связи рассматривается нелинейная динамика элементарных ступеней на атомно-гладкой границе кристалл - жидкость. Фактически речь может идти о гранях на поверхности твердый - сверхтекучий гелий при низких температурах, когда диссипативные процессы слабо влияют на динамику ступеней. Для получения основных результатов необходимы численные вычисления. Определены закон дисперсии ступени и зависимость ее формы от скорости движения. Показана возможность кинематического размножения ступеней: при достаточно высоких скоростях одиночная ступень оказывается неустойчивой относительно рождения пары ступеней противоположного знака, что приводит к образованию нового атомного слоя. Кроме того, при столкновении ступеней противоположного знака, наряду с обычной аннигиляцией ступеней при таких столкновениях, при определенных условиях возможны как «переброс» ступеней в соседний ряд с образованием нового атомного слоя (прохождение), так и отражение ступеней друг от друга. Таким образом, предложен качественно новый механизм роста кристаллов с атомно-гладкими гранями в отсутствие возобновляемых источников, таких как винтовые дислокации. Рассмотрено также влияние диссипации и внешнего пересыщения на динамику ступеней. Обсуждаются возможности экспериментального наблюдения предложенных механизмов размножения ступеней и их возможная связь с необычными режимами роста кристаллов гелия при низких температурах.

 
Report problems