РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ МЕЖДУ ДВУМЕРНЫМИ СИСТЕМАМИ С РАЗНЫМИ КОНЦЕНТРАЦИЯМИ В КВАНТУЮЩЕМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Попов В.Г., Дубровский Ю.В., Портал Ж.-К.

Received: October 3, 2005

PACS: 73.21.Fg, 73.43.Jn, 73.43.Lp

DJVU (117.8K)

PDF (379.3K)

В работе представлены результаты экспериментального исследования вертикального электронного транспорта в однобарьерной туннельной гетероструктуре типа GaAs/Al_0.3Ga_0.7As/GaAs с легированным барьером. Двумерные аккумуляционные слои возникали по разные стороны барьера в результате ионизации Si доноров в барьерном слое. Немонотонное смещение токового пика было обнаружено на вольт-амперной характеристике туннельного диода в магнитном поле, перпендикулярном плоскостям двумерных слоев. В работе показано, что такое поведение резонансного пика может быть удачно объяснено в модели возникновения кулоновской псевдощели и пиннинга расщепленных по спину уровней Ландау на уровнях Ферми контактов. При этом необходимо предположить не зависящий от факторов заполнения уровней Ландау фактор Ландэ g^* =7.5, одинаковый в обоих слоях.