ДЕФОРМАЦИЯ ВОЛНЫ ЗАРЯДОВОЙ ПЛОТНОСТИ ВБЛИЗИ МИКРОКОНТАКТА С НОРМАЛЬНЫМ МЕТАЛЛОМ
Синченко А.А., Покровский В.Я.

Received: June 17, 2005

PACS: 71.30.+h, 73.63.Rt, 73.40.Ns, 72.15.Nj

DJVU (172.3K)

PDF (841.7K)

Исследованы вольт-амперные характеристики микроконтактов Cu-K_0.3MoO₃ между металлом и полупроводником с волной зарядовой плотности при разных диаметрах контактов в широком диапазоне температур T и напряжений V. В интервале K вольт-амперные характеристики хорошо описываются в рамках полупроводниковой модели: экранирование внешнего электрического поля приводит к деформации волны зарядовой плотности, сдвигу химического потенциала квазичастиц и изменению сопротивления микроконтакта. Показано, что в равновесии химический потенциал находится выше середины пайерлсовской щели и приближается к ее середине с повышением температуры. На вольт-амперных характеристиках микроконтактов диаметром наблюдается резкое уменьшение сопротивления при |V| > V_t, связанное с началом локального, в пределах приконтактной области, скольжения волны зарядовой плотности. Зависимость V_t(d,T) может быть объяснена размерным эффектом в проскальзывании фазы волны зарядовой плотности.