ZhETF, Vol. 128,
No. 5,
p. 1041 (November 2005)
(English translation - JETP,
Vol. 101, No. 5,
p. 907,
November 2005
available online at www.springer.com
)
КВАЗИБАЛЛИСТИЧЕСКИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В КВАНТОВЫХ ПРОВОЛОКАХ
Маргулис В.А., Шорохов А.В.
Received: April 13, 2005
PACS: 73.23.Ad, 73.63.Rt
Исследован электронный транспорт в трехмерной квантовой проволоке при учете рассеяния на одиночной точечной примеси. Показано, что график зависимости магнитокондактанса от химического потенциала μ содержит узкие пики в случае положительной длины рассеяния, а в случае отрицательной длины рассеяния - близко лежащие пики и провал. Пики лежат в окрестности порогов кондактанса. Зависимость термоэдс от μ содержит узкие провалы в случае положительной длины рассеяния, а при отрицательной длине рассеяния - близко лежащие пики и провал.
|
|