ИНТЕРФЕЙСНЫЕ ФОНОНЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ
Ладанов М.Ю., Милехин А.Г., Торопов А.И., Бакаров А.К., Гутаковский А.К., Тэннэ Д.А., Шульце Ш., Цан Д.Р.Т.

Received: April 21, 2005

PACS: 63.22.+m, 78.67.Hc, 78.30.Fs

DJVU (193.5K)

PDF (504K)

Экспериментально и теоретически исследован колебательный спектр структур с квантовыми точками InAs в матрице AlGaAs и с квантовыми точками AlAs в матрице InAs. В спектрах комбинационного рассеяния света обнаружены особенности, соответствующие поперечным, продольным оптическим и интерфейсным фононам. Частоты интерфейсных фононов в квантовых точках InAs и AlAs и в матрице AlGaAs с различным содержанием алюминия были рассчитаны с использованием экспериментальных значений поперечных и продольных оптических фононов в приближении диэлектрического континуума. Показано, что модель диэлектрического континуума адекватно описывает поведение интерфейсных фононов в структурах с квантовыми точками в предположении, что квантовые точки имеют сфероидальную форму.