ЭЛЕКТРОННАЯ И РЕШЕТОЧНАЯ СТАДИИ ВАЛЕНТНОГО ПЕРЕХОДА В SmTe ПРИ ВЫСОКОМ ГИДРОСТАТИЧЕСКОМ ДАВЛЕНИИ
Циок О.Б., Хвостанцев Л.Г., Смирнов И.А., Голубков А.В.

Received: October 6, 2004

PACS: 71.28.+d, 71.30.+h, 71.35.-y, 66.70.+f

DJVU (173.5K)

PDF (606.5K)

Представлены результаты прецизионных измерений электросопротивления, термоэдс, объема и теплопроводности соединения SmTe в условиях истинно гидростатического давления при комнатной температуре. Исследовались стехиометрические и легированные (n-типа, см^-3) монокристаллические образцы высокого качества. Установлено, что валентный переход происходит в виде последовательных этапов перестройки электронной подсистемы и кристаллической решетки, происходящих при различных давлениях. На начальном этапе перехода наблюдается металлизация, сопровождаемая аномалиями кинетических коэффициентов, при этом на графике зависимости объема от давления наблюдается лишь незначительное отклонение от кривой, соответствующей исходной полупроводниковой фазе. Следующий этап сопровождается значительным изменением объема образца (коллапс решетки), но в этой области давлений сопротивление и термоэдс перестают зависеть от давления. На завершающей стадии перехода сжимаемость образца уменьшается, сопротивление и термоэдс снова начинают зависеть от давления, при этом в образце возникает состояние, которое по всем измеренным свойствам соответствует «золотой» фазе SmS.