ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ И КУЛОНОВСКИЕ КОРРЕЛЯЦИИ В ДВУМЕРНЫХ МАССИВАХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК Ge/Si
Якимов А.И., Двуреченский А.В., Миньков Г.М., Шерстобитов А.А., Никифоров А.И., Блошкин А.А.

Received: August 27, 2004

PACS: 73.63.Kv, 73.21.La

DJVU (187.9K)

PDF (644.2K)

Экспериментально исследованы температурная и магнитополевая зависимости проводимости, обусловленной прыжковым транспортом дырок вдоль двумерного массива квантовых точек Ge/Si(001) c различным фактором заполнения точек дырками. При понижении температуры обнаружен переход от закона Эфроса - Шкловского для температурной зависимости прыжковой проводимости к закону Аррениуса с энергией активации, равной 1.0-1.2 мэВ. Энергия активации низкотемпературной проводимости возрастает с увеличением магнитного поля и насыщается в полях более 4 Tл. Обнаружено, что магнитосопротивление в слоях квантовых точек является существенно анизотропным: проводимость уменьшается с ростом магнитного поля при ориентации поля перпендикулярно слою квантовых точек и увеличивается в магнитном поле, вектор которого лежит в плоскости образца. Абсолютные величины магнитосопротивления при перпендикулярной и продольной ориентациях поля различаются между собой на 2 порядка. Полученные экспериментальные результаты объяснены в рамках модели многочастичных корреляций локализованных в квантовых точках дырок, приводящих к формированию электронных поляронов в двумерной неупорядоченной системе.