ТРАНСФОРМАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И ВОЗНИКНОВЕНИЕ РЕЛАКСАТОРНОГО ПОВЕДЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ Pb₅(Ge_1-xSi_x)₃O₁₁
Буш А.А., Каменцев К.Е., Мамин Р.Ф.

Received: July 5, 2004

PACS: 77.80.Bh

DJVU (225K)

PDF (867.7K)

Исследованы особенности диэлектрических свойств и проводимости сегнетоэлектрических кристаллов твердых растворов Pb₅(Ge_1-xSi_x)₃O₁₁ (). Обнаружены и изучены аномалии диэлектрических свойств вблизи температур K и K, возникновение релаксаторного поведения при x>0.35 и критическое поведение концентрационных зависимостей диэлектрических и пироэлектрических характеристик при x₁=0.35 и x₂=0.60. Показано, что наблюдаемые явления связаны с динамикой локализации зарядов на дефектах с энергиями активации эВ и эВ. Релаксаторное поведение возникает в случае, когда точка Кюри оказывается в температурной области термолокализации зарядов. Возникающие на концентрационных зависимостях особенности при x₁ и x₂ объясняются тем, что эффективная точка Кюри попадает в центры температурных областей локализации зарядов на дефектных уровнях соответственно U_a1 и U_a2.