ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ОТКЛИК ДВУХЪЯМНЫХ НАНОСТРУКТУР
Елесин В.Ф.

Received: September 1, 2004

PACS: 79.60.Jv, 73.23.-b

DJVU (105.2K)

PDF (264.1K)

Развита последовательная аналитическая теория когерентного резонансного туннелирования электронов в двухъямной наноструктуре в присутствии слабого электромагнитного поля. Получены простые выражения для коэффициента прохождения и линейного отклика двухъямной наноструктуры, позволяющие выяснить физику процессов и найти усиление в зависимости от параметров структуры. Показано, что высокочастотный отклик двухъямной наноструктуры значительно превышает отклик одноямной структуры (резонансно-туннельного диода), а приложение постоянного электрического поля позволяет перестраивать частоту генерации и увеличивать усиление. Делается вывод о перспективности двухъямной наноструктуры для создания генераторов в терагерцовом диапазоне. Показано, что в отличие от резонансно-туннельного диода определяющую роль играет межямная интерференция электронов и излучательные переходы «лазерного типа».