МЕХАНИЗМ НИЗКОВОЛЬТНОЙ ЭМИССИИ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ НАНОУГЛЕРОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ
Захидов Ал.А., Образцов А.Н., Волков А.П., Лященко Д.А.

Received: April 21, 2004

PACS: 79.70.+q, 73.63.Bd, 73.63.Fg

DJVU (88.2K)

PDF (310.2K)

Автоэлектронная эмиссия из наноструктурированных углеродных материалов анализируется на основе модели эмиссионного центра, предполагающей наличие на поверхности эмиттера двух фаз углерода с существенно различающимися электронными свойствами. Предложенный в соответствии с этой моделью механизм эмиссии предполагает туннелирование электронов через двойной потенциальный барьер. Выполненный расчет вероятности туннелирования через двойной барьер указывает на то, что экспериментально наблюдаемая низковольтная автоэлектронная эмиссия может быть обусловлена наличием резонансных поверхностных состояний. Проведенная численная оценка указывает на возможность увеличения эмиссионного тока за счет резонансного туннелирования через двойной барьер на четыре и более порядков.