ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ Bi₂Te₃ И Sb₂Te₃, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ ТУННЕЛЬНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Кульбачинский В.А., Озаки Х., Миахара И., Фунагай К.

Received: February 7, 2003

PACS: 71.20.-b, 73.40.-c, 73.40.Gk

DJVU (551.6K)

PDF (1184.4K)

Проведены туннельные измерения dI/dV, d²I/dV² и d³I/dV³ вдоль оси C₃ (перпендикулярно слоям) в слоистых полупроводниках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ в температурном интервале 4.2 Кg, которая в Bi₂Te₃ оказалась равной 0.20 эВ при комнатной температуре и возрастающей до 0.24 эВ при T=4.2 К. В Sb₂Te₃ величина E_g=0.25 эВ при 295 К и E_g=0.26 эВ при 4.2 К. Установлено, что расстояние между потолком верхней валентной зоны легких дырок и потолком ниже расположенной валентной зоны тяжелых дырок в Bi₂Te₃ составляет мэВ и не зависит от температуры. В зоне проводимости Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃ существуют два экстремума с расстояниями между ними соответственно мэВ и мэВ.