ТЕМПЕРАТУРНАЯ И КОНЦЕНТРАЦИОННАЯ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ ОКСИДОВ МЕДИ В ОБОБЩЕННОМ МЕТОДЕ СИЛЬНОЙ СВЯЗИ
Борисов А.А., Гавричков В.А., Овчинников С.Г.

Received: December 5, 2002

PACS: 74.25.Jb, 71.20.Ps

DJVU (120K)

PDF (409.1K)

Электронная структура дырочно допированных ВТСП-купратов рассчитывается с явным учетом сильных электронных корреляций. Прослежена плавная эволюция электронной структуры от недопированного антиферромагнетика к оптимально и сильно допированным парамагнитным составам. При малом допировании получены внутрищелевые состояния примесного типа, на которых пиннингуется уровень Ферми в области слабого допирования. Эти состояния отделены псевдощелью от валентной зоны. В парамагнитной фазе рассчитанные поверхности Ферми для разной концентрации дырок хорошо согласуются с данными ARPES-экспериментов и показывают постепенную смену типа поверхности Ферми от дырочного к электронному.