СТЕКОЛЬНОЕ ПОВЕДЕНИЕ РЕЛАКСАТОРНОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА Cd₂Nb ₂O₇ В СЛАБОМ ПОСТОЯННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Колпакова Н.Н.

Received: September 10, 2002

PACS: 77.22.-d, 61.43.-j, 77.90.+k, 77.84.Dу

DJVU (77.8K)

PDF (299.3K)

На примере релаксаторной системы Cd₂Nb₂O₇ исследовано температурное поведение диэлектрического отклика на частоте 1 кГц (110 К и параметра порядка q(T), характеризующего в релаксаторном сегнетоэлектрике, для образцов с разными термическими и электрическими историями в постоянном электрическом поле, значительно меньшем поля насыщения поляризации. В слабом поле (E_dc=0.95 кВ/см) в области T_f=184 К поведение изменяется, а при более низких температурах кривые монотонно расходятся, что указывает на развитие стекольного состояния в системе. Анализ поведения q(T) в рамках моделей спиновых и дипольных стекол показал, что в фазе, развивающейся ниже T_f, при ZFC- и FH/ZFC-режимах доминирующую роль играют случайные взаимодействия полярных микрообластей в присутствии случайных полей. Относительный вклад случайных полей возрастает при FC-режиме в слабом поле и проявляется при ZFH/FC-режиме как ниже, так и выше T_f.